講演情報
[11a-A21-4]低加速SEM-CLによるGaN貫通転位観察条件の最適化
〇朝比奈 俊輔1,2、作田 裕介1,2 (1.日本電子株式会社、2.東北大 高度マテリアル分析共創研)
キーワード：
半導体、貫通転位、カソードルミネッセンス
GaN基板中の貫通転位評価を目的に、低加速SEM-CL観察条件を検討した。加速電圧3～5 kVでは転位を明瞭に識別できた一方、10 kVでは発光領域の拡大によりコントラストが低下した。電子線侵入深さとの関係から、空間分解能と信号強度を両立する3 kV付近が最適条件であることを示した。