[11a-A21-1~6] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

12:00 〜 12:15奨励賞エントリー

[11a-A21-5] AlGaN/GaNヘテロ構造に対するAr原子ビーム照射の効果

〇(M2)凌 旭良¹、岩本 晃¹、重川 直輝¹ (1.大阪公立大)

キーワード：

窒化ガリウム、半導体

これまで我々はGaN HEMTの電気的および放熱特性の評価を行ってきた。本研究の最終的な目的は、SAB（表面活性化接合）法を用いて高放熱なN極性GaN HEMTを作製することである。今回、そのデバイス実現に向けた前段階の基礎検討として、SAB法の接合前処理に不可欠なAr-FAB（高速原子ビーム）照射が、GaN HEMTの表面構造や特性にもたらす物理的ダメージの影響を調査した。