[11a-A31-1~13] 6.2 カーボン系薄膜

11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[11a-A31-10] 非局在化したホウ素ドープアモルファスカーボンにおける電子状態評価

〇中島 統晴¹、村岡 祐治²、大槻 太毅²、横谷 尚睦²、脇田 高徳³、小谷 佳範³、河合 敬宏³、大坪 喜之⁴ (1.岡山大学自然科学、2.岡山大基礎研、3.JASRI/NanoTerasu、4.QST/NanoTerasu)

キーワード：

アモルファス、半導体、炭素

アモルファス半導体の良伝導化は、無秩序構造によるキャリア局在化のため長年の課題である。近年、パルスレーザーアニーリング（PLA）法により得られたホウ素ドープa-Cにおいて非局在化の実現が報告されたが、非局在化に至るメカニズムは未解明である。本研究ではPLA法により非局在化した試料を作製し、その起源解明を目指した。当日は電子状態および電気伝導特性で観測した非局在化を示す変化について議論する。