[11a-A31-1~13] 6.2 カーボン系薄膜

12:15 〜 12:30

[11a-A31-13] シリコンおよび窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン膜特性に及ぼす基板バイアス電圧の効果

〇竹村 凜太朗¹、細川 彩萌¹、伊東 翔太¹、鈴木 裕史¹、遠田 義晴¹、小林 康之¹、中澤 日出樹¹ (1.弘前大院工)

キーワード：

ダイヤモンドライクカーボン、基板バイアス電圧効果

RFプラズマ化学気相成長によりSi及びN添加DLC(Si-N-DLC)膜を作製し、基板バイアス電圧がSi-N-DLC膜特性に及ぼす効果について調べた。Si-N-DLC/p-Siヘテロ接合の暗状態のI-V特性において、基板バイアス電圧の増加によって順方向電流が増加し、逆方向電流が減少した結果、整流比が向上した。光照射下のI-V特性を測定した結果、基板バイアス電圧の増加によって短絡電流密度が増加した。