[11a-A31-1~13] 6.2 カーボン系薄膜

9:15 〜 9:30

[11a-A31-2] 電子線照射したダイヤモンドのアルファ線誘起過渡電荷分光による欠陥準位評価

〇佐藤 真一郎¹、曽根 雄二¹、岩本 直也²、松本 翼³ (1.QST、2.香川高専、3.金沢大)

キーワード：

ダイヤモンド、欠陥準位、放射線照射効果

単結晶化学気相成長(CVD)ダイヤモンド薄膜は、ワイドギャップ、高いキャリア移動度といった優れた電気特性を有していることに加え、機械的強度が高く、化学的・熱的に安定であることから、宇宙や原子力施設といった厳環境下で動作する半導体デバイスへの応用が期待されている。結晶成長技術やデバイス作製技術の著しい成長により、その実用化が着実に進む一方、放射線環境下で動作する半導体デバイスにとって不可欠な知見である電気的に活性な放射線誘起欠陥（欠陥準位）に関する情報は不足している。そこで本研究では、放射線照射によって欠陥を意図的に導入したダイヤモンドの欠陥準位評価と、その起源の同定を進めている。