講演情報
[11a-B32-11]MBEで作製したvdW薄膜へのPCL支援ドライ転写の適用と物性評価
〇遠藤 幹大1、松尾 芽来2、川上 泰樹2、板橋 勇輝3、岩佐 義宏3、中野 匡規2 (1.東大院工、2.芝浦工大工、3.理研CEMS)
キーワード：
二次元物質、分子線エピタキシー法、メンブレン
MBE成長させたインターカレート系vdW物質のような物質は基板密着性が高く、自立化が困難である。本講演では、PCL支援ドライ転写法をこれらのMBE薄膜に適用した結果を報告する。特に室温強磁性体Cr3Te4において、固有の磁性を維持した良質なフレークが再現性良く得られることを確認した。本手法は二次元デバイス展開への有効なアプローチであり、当日は劈開前後の物性変化についても議論する。