[11a-C309-1~14] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

9:00 〜 9:15

[11a-C309-1] エピタキシャル成長したSi/SiGeナノドット/Si構造の帯電特性評価

〇(D)白 鍾銀¹、今井 友貴¹、山本 裕司^2,1、牧原 克典^1,2 (1.名大院工、2.IHP-Leibniz Institut für innovative Mikroelektronik)

キーワード：

SiGeナノドット、帯電特性