[11a-C309-1~14] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

12:15 〜 12:30

[11a-C309-13] イオン注入法を用いた歪みSiGeスピン伝導層のキャリア濃度制御

〇井上 創太¹、大木 健司¹、大日方 初良^1,2,3、加藤 惠太郎⁴、菊岡 柊也⁴、井上 貴裕⁵、山田 道洋⁴、澤野 憲太郎⁴、山本 圭介⁶、浜屋 宏平^1,2,3 (1.阪大基礎工、2.阪大基礎工CSRN、3.阪大OTRIスピン、4.都市大総研、5.都市大IRCNST、6.熊大REISI)

キーワード：

スピントロニクス、イオン注入、SiGe