講演情報
[11a-C309-5]NS向け(SiGe/Si)x3/Si(110)superlattice構造の臨界膜厚評価法検討
〇臼田 宏治1、伊波 希宇2,3、熊谷 直人3,4、入沢 寿史3,4、小椋 厚志1,2 (1.明治大学MREL、2.明治大学理工、3.産総研SFRC、4.最先端半導体技術センター)
キーワード：
SiGe、Si(110)、臨界膜厚
高性能Si(110)チャネルGAA-FET実現の為、無欠陥ナノシート(NS)の形成が重要である。本報告では、実デバイス相当の3層NSを想定した3周期(Si/SiGe)/Si(110)超格子の表面に表出するhatchの検出によって、超格子の緩和評価を試みた。結果、積層膜がその臨界膜厚を超えた場合に限りhatchが発生する事を示唆する結果を得た。即ち、本報告の手法は、実NS形成時の超格子の緩和を評価可能な手法として期待される。