[11a-C309-1~14] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

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[11a-C309-6] Si(110)基板上SiGe層表面に形成されるファセット構造のオフ条件依存性

〇伊波 希宇^1,2、臼田 宏治³、熊谷 直人^1,4、入沢 寿史^1,4、小椋 厚志^2,3 (1.産総研 SFRC、2.明治大理工、3.明大MREL、4.LSTC)

キーワード：

SiGe、Si(110)、オフ基板

Si(110)基板上SiGe成長における表面構造のオフ条件依存性を報告する。〈100〉・〈110〉方向に2–10°オフした基板上へSiGeをCVD成長し、AFM・TEMにより評価した。結果、〈100〉方向では周期的なリッジ構造、〈110〉方向では複数方位のファセットが形成され、オフ方向ごとに異なる成長挙動が確認された。これらの面はSiバッファ層の有無に拘わらず出現するため、次世代FET用SiGe薄膜成長においてはオフ条件が重要な制御因子である。