講演情報
[11a-C309-7]Si基板上Al–Ge合金の溶融・凝固により形成した組成傾斜SiGe層の面内均一性に及ぼすB2O3界面層導入の効果
〇檜垣 碧位1、勝部 涼司1、南山 偉明2、ダムリン マルワン2,3、宇佐美 徳隆1,4,5 (1.名大院工、2.東洋アルミニウム、3.阪大院工、4.名大未来研、5.名大未来機構)
キーワード：
溶融・凝固、面内均一性、界面反応制御
多接合太陽電池用低コスト基板開発に向け、Al–Geペーストの融解・凝固によって作製したSiGe/Si仮想基板の面内不均一の解消を目指し、不均一の一因とされるSiOxの分解反応促進を目的としたB2O3界面層の導入効果を検証した。その結果一部領域でSiGe/Si界面が平坦化した。この領域はB2O3が厚く存在した領域と相関しており、均一なB2O3製膜によって平坦な界面の仮想基板を作製できる可能性がある。