[11a-C309-1~14] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[11a-C309-9] 近赤外偏光透過顕微鏡と透過型電子顕微鏡観察に基づく傾斜組成SiGe膜中の転位識別手法の検討

〇(M2)岩田 茉奈実¹、勝部 涼司¹、鈴木 紹太²、南山 偉明²、ダムリン マルワン^2,3、宇佐美 徳隆^1,4,5 (1.名大院工、2.東洋アルミニウム、3.阪大院工、4.名大未来機構、5.名大未来研)

キーワード：

SiGe、近赤外偏光透過顕微鏡、結晶欠陥

III-V族多接合太陽電池用SiGe/Si仮想基板の実用化には、SiGe層中の結晶欠陥評価が重要である。我々は近赤外偏光透過顕微鏡を用いた数cmスケールでの広視野・非破壊欠陥評価技術の確立に取り組んでいる。本研究では、近赤外偏光透過顕微鏡を用いた転位種解析手法の確立に向け、透過型電子顕微鏡 (TEM) 観察により同定した転位構造と偏光透過観察像との対応関係を調査した。