[11a-E201-1~8] 13.3 絶縁膜技術

9:15 〜 9:30

[11a-E201-2] 二段階堆積と極薄GeO₂/Ge界面の特性評価

〇井上 拓紀¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹、並木 美太郎¹ (1.農工大院工)

キーワード：

半導体