2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
詳細検索

セッション詳細

一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.3 絶縁膜技術

[11a-E201-1~8]13.3 絶縁膜技術

2026年9月11日(金) 9:00 〜 11:00
E201 (総合教育棟 E棟)
9:00 〜 9:15

[11a-E201-1]SiO2/GeO2/Geゲートスタックにおける低温PMA効果

〇鍬釣 一1、王 冬2、山本 圭介2,3 (1.九大総理工、2.九大総理工研究院、3.熊大半研)
9:15 〜 9:30

[11a-E201-2]二段階堆積と極薄GeO2/Ge界面の特性評価

〇井上 拓紀1、岩崎 好孝1、上野 智雄1、並木 美太郎1 (1.農工大院工)
9:30 〜 9:45

[11a-E201-3]真空一貫プロセスによるAl2O3/GeO2/Ge構造の原子層堆積技術

〇加藤 芳規1、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2、柴山 茂久1 (1.名大院工、2.名大未来研)
9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[11a-E201-4]Ge GAAFETsに向けたALD-YOx/Ge MOS構造の検討

〇川名 慶征1,2、脇本 皓平1,2、張 文馨1、陳 家驄1、堤 利幸1,2、前田 辰郎1 (1.産総研、2.明大理工)
10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[11a-E201-5]酸化物半導体MOS界面におけるバンドアライメント異常のフラットバンド電圧シフトによる観察: Al2O3/β-Ga2O3, SiO2/β-Ga2O3の比較による検討

〇田村 敦史1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域)
10:15 〜 10:30

[11a-E201-6]新規なLaTiO及びAlTiOダイポール層によるHfZrO2キャパシタのVfb調整

〇生田目 俊秀1,2、澤田 朋実1,2、三浦 博美1,2、宮本 真奈美1,2、女屋 崇1,2、塚越 一仁1,2、深田 直樹1,2、ジェバスワン ウイパコーン1,2、右田 真司2,3 (1.物質・材料研究機構、2.最先端半導体技術センター、3.産総研)
10:30 〜 10:45

[11a-E201-7]マルチVth制御に向けたTiO2混合ダイポール層によるVfb制御の検討

〇神岡 武文1,6、生田目 俊秀2,6、松川 浩之3,6、川那子 高暢1,6、森田 行則1,6、Kasidit Toprasertpong3,6、三谷 祐一郎4,6、女屋 崇2,6、深田 直樹2,6、Wipakorn Jevasuwan2,6、塚越 一仁2,6、喜多 浩之3,6、田村 敦史3,6、星井 拓也5,6、岡田 直也1,6、間部 謙三1,6、水林 亘1,6、太田 裕之1,6、松川 貴1,6、右田 真司1,6 (1.産総研 SFRC、2.物材機構、3.東京大、4.東京都市大、5.科学大、6.LSTC)
10:45 〜 11:00

[11a-E201-8]低熱負荷（500 ℃）酸素パッシベーション界面層（O-PAS IL）による極薄CET（〜0.9 nm）High-kゲートスタック形成

〇森田 行則1,6、川那子 高暢1,6、神岡 武文1,6、三谷 祐一郎2,6、生田目 俊秀3,6、女屋 崇3,6、深田 直樹3,6、ジェバスワン ウイパコーン3,6、塚越 一仁3,6、星井 拓也4,6、トープラサートポン カシディット5,6、田村 敦史5,6、喜多 浩之5,6、岡田 直也1,6、間部 謙三1,6、水林 亘1,6、太田 裕之1,6、松川 貴1,6、右田 真司1,6 (1.産総研、2.東京都市大、3.物質・材料研究機構、4.東京科学大、5.東大、6.LSTC)
カテゴリ一覧へ戻る