[11a-E201-1~8] 13.3 絶縁膜技術

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[11a-E201-4] Ge GAAFETsに向けたALD-YOx/Ge MOS構造の検討

〇川名 慶征^1,2、脇本 皓平^1,2、張 文馨¹、陳 家驄¹、堤 利幸^1,2、前田 辰郎¹ (1.産総研、2.明大理工)

キーワード：

Ge GAAFETs、Ge MOS構造、ALD-YOx

Ge GAAFET実現に向け、ALD法で形成したYOx/Ge MOS構造の電気特性を評価した。熱ALDよりプラズマALDの方が高Cox・低界面準位密度を示し、AlOx並みの良好な界面を確認。一方、YOxを3 nmまで薄膜化するとCETは約1.7 nmまで低減したが、固定電荷やトラップ、リーク電流増大が課題として明らかになった。