講演情報
[11a-E201-5]酸化物半導体MOS界面におけるバンドアライメント異常のフラットバンド電圧シフトによる観察: Al2O3/β-Ga2O3, SiO2/β-Ga2O3の比較による検討
〇田村 敦史1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域)
キーワード：
Ga2O3、界面ダイポール効果、酸化物半導体
MOS界面のバンドアライメント変化はフラットバンド電圧VFBの変化として検出できる。
High-k/SiO2界面においては、ダイポール効果が顕在化するが、酸化物半導体と酸化物絶縁体の界面でも同様の現象がバンドアライメントに影響を与える可能性がある。本研究では、SiO2/β-Ga2O3, Al2O3/β-Ga2O3 MOS界面を例にとりVFBを系統的に調査した。Al2O3系において異常なVFBが観察され、これは材料固有の効果であると考えられる。
High-k/SiO2界面においては、ダイポール効果が顕在化するが、酸化物半導体と酸化物絶縁体の界面でも同様の現象がバンドアライメントに影響を与える可能性がある。本研究では、SiO2/β-Ga2O3, Al2O3/β-Ga2O3 MOS界面を例にとりVFBを系統的に調査した。Al2O3系において異常なVFBが観察され、これは材料固有の効果であると考えられる。