[11a-E203-1~10] 1.6 超音波

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[11a-E203-7] 単結晶Ti電極/多能性®中間膜を用いたエピタキシャル成長Si, Ge,またはScドープAlN膜の形成とBAW特性評価

〇(M1)権守 秀昭¹、鈴木 雅視¹、垣尾 省司¹、關 雅志²、木島 健² (1.山梨大、2.株式会社Gaianixx)

キーワード：

AlN薄膜、エピタキシャル成長、バルク弾性波