セッション詳細
[11a-E203-1~10]1.6 超音波
2026年9月11日(金) 9:00 〜 11:45
E203 (総合教育棟 E棟)
座長:高柳 真司(同志社大)
[11a-E203-7]単結晶Ti電極/多能性®中間膜を用いたエピタキシャル成長Si, Ge,またはScドープAlN膜の形成とBAW特性評価
〇(M1)権守 秀昭1、鈴木 雅視1、垣尾 省司1、關 雅志2、木島 健2 (1.山梨大、2.株式会社Gaianixx)
[11a-E203-8]タイミングデバイス向け高倍音バルク音響共振子の開発
〇天本 百合奈1、照元 幸次1、合田 賢司1、下地 規之1、内貴 崇1、木村 俊1、十亀 龍星1、奥 良彰1 (1.ローム(株))
[11a-E203-9]高倍音バルク音響共振子における4H-SiC基板オフ角の影響
〇十亀 龍星1、照元 幸次1、天本 百合奈1、合田 賢司1、下地 規之1、内貴 崇1、木村 俊1、奥 良彰1 (1.ローム株式会社)
