講演情報
[11a-E203-9]高倍音バルク音響共振子における4H-SiC基板オフ角の影響
〇十亀 龍星1、照元 幸次1、天本 百合奈1、合田 賢司1、下地 規之1、内貴 崇1、木村 俊1、奥 良彰1 (1.ローム株式会社)
キーワード：
高倍音バルク音響共振子、HBAR、共振子
オフ角4°の4H-SiC基板を用いた高倍音バルク音響共振子（HBAR）において生じる不要共振の発生メカニズムを、時間領域解析により調査した。周波数応答を逆フーリエ変換して解析した結果、基板のオフ角による結晶異方性のため、裏面反射時に縦波の一部が横波へモード変換される。これにより生じる音速の異なる波がHBAR内に混在することで、不要共振の原因であると明らかにした。