講演情報
[11a-E206-11]Mg2Siバッファ層を用いたBiSb薄膜のエピタキシャル成長
〇栗山 武琉1、根城 虹希1、川添 敬介1、岩下 智洋1、鈴木 暢尚1、伊藤 駿1、鵜殿 治彦1、坂根 駿也1 (1.茨城大)
キーワード：
トポロジカル絶縁体、熱電変換、分子線エピタキシー
トポロジカル絶縁体Bi0.9Sb0.1薄膜の作製において、格子不整合度が1%以下と極めて小さいMg2Si(111)バッファ層の導入効果を検証した。分子線エピタキシー（MBE）法を用いてc面サファイア基板上に成膜し、RHEEDおよびXRDによる構造評価を行った。その結果、直接成長では多結晶に留まるのに対し、バッファ層を介することでc軸配向を伴う高品質なエピタキシャル成長が可能となることが確認された。