講演情報
[11a-E206-6]Mg2(Si,Ge,Sn)四元混晶薄膜の低温合成とフレキシブル熱電応用
〇(M2)中島 丈範1、石山 隆光2、前田 真太郎1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大院、2.産総研)
キーワード：
熱電変換、多結晶薄膜、結晶成長
狭ギャップ半導体であるMg2X（X = Si, Ge, Sn）は、室温下で比較的大きなゼーベック係数Sを有する環境調和型熱電材料として古くから注目されている。しかし、高い熱伝導率κが熱電特性向上のボトルネックとなっていた。我々はこれまで多結晶混晶薄膜でκを低減し、高い熱電特性を実証してきた。今回、ガラス基板上へのMg2(SiGeSn)の薄膜合成とその熱電性能実証、及びプラスチック基板上への展開を目標とし、研究を行った。