[11a-E301-1~11] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:00 〜 9:15

[11a-E301-1] ミスト反応場による(In_xGa_1-x)₂O₃準安定相の熱力学的安定域外形成

〇川原村 敏幸^1,2、Hassan Sohaib¹、Mondal Abhay Kumar¹、Liu Kun¹、Wai Htet Su¹ (1.高知工大院工学研究科、2.高知工大総研)

キーワード：

ミストCVD、酸化インジウムガリウム、準安定相

α‑AlGaOxは第一原理計算や従来法では全組成域で合成不可能とされるが、ミストCVDでは全組成域で単結晶質配向膜が得られる。一方α‑InGaOxは20–80%のIn組成域で非晶質化することが熱力学的観点の計算から予測され、実際にミストCVDでも同様の結果が得られた。そこで、In組成が20％のα‑InGaOx薄膜の上にIn組成が30％のα‑InGaOx薄膜を積層したところ、熱力学的安定域外でも単結晶質配向膜の形成に成功した。