[11a-E301-1~11] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:30 〜 11:45

[11a-E301-10] XPS O1sピークの再解釈：酸化物半導体における酸素欠損評価の再考

〇山元 隆志¹、坂田 智裕¹、小川 賢吾¹、小川 慎吾¹、藤山 紀之¹、浦岡 行治²、髙橋 崇典² (1.東レリサーチセンター、2.奈良先端科学技術大)

キーワード：

酸化物半導体、X線光電子分光法

酸化物半導体[In-Ga-Zn-O（IGZO）やIn-Ga-O（IGO）]の酸素欠損とX線光電子分光法（XPS）のO1sスペクトルにおける高結合エネルギー側の成分（約531–532 eV）との関係を考察した。その結果、O1s高結合エネルギー側の成分は酸素欠損を直接反映するものではなく、有機系酸素、水酸基、吸着水など複数の化学種を反映した信号と同定する方が妥当であると思われる。