[11a-E301-1~11] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:45 〜 12:00

[11a-E301-11] TDSと元素分析を組み合わせたIGZO薄膜中軽元素脱離挙動の定量評価

〇小川 賢吾¹、北村 智子¹、山元 隆志¹、浦岡 行治²、髙橋 崇典² (1.東レリサーチセンター、2.奈良先端科学技術大)

キーワード：

化合物半導体、熱脱離分析、元素分析

熱脱離分析（TDS）と元素分析を組み合わせることで、IGZO薄膜中の軽元素脱離挙動と組成変化の直接的な相関付けを可能にした。特に、Znの脱離とZn含有量の減少との間に定量的な関係を示し、本手法が酸化物半導体の熱安定性評価に有効であることを明らかにした。