[11a-E301-1~11] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:30 〜 9:45

[11a-E301-3] ミストCVD法によるSiO₂/Si 基板上In₂O₃薄膜の低温成膜

〇(M2)飯塚 太郎¹、石川 諒¹、山本 龍¹、石川 治樹¹、飯田 隆真¹、小川 広太郎¹、相川 慎也¹、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹、山口 智広¹ (1.工学院大)

キーワード：

薄膜成長、ミスト CVD、低温成膜