[11a-E301-1~11] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:45 〜 10:00

[11a-E301-4] ミストCVD法による, 高品質Cu2O薄膜作製に向けた成膜条件の検討

〇(M2C)大橋 亮介^1,2、渡邉 千晶¹、吉田 龍馬¹、水本 圭^1,2、ヘテット ス ワイ¹、ソハイブ ハサン¹、川原村 敏幸^1,2,3 (1.高知工科大、2.院工学研究科、3.総合研究所)

キーワード：

ミストCVD、Cu2O薄膜、cFH式反応炉

現在、大気圧下での機能性薄膜作製手法として注目されているミストCVD法にて、太陽電池等への応用が期待されているCu2O薄膜の作製を行った。本研究では高品質Cu2O薄膜の作製を目的とし、原料溶液の選定などを行った。また、本研究室独自のcFH式反応炉や冷却工程の導入、熱処理などを行い、最適な薄膜作製条件の検討を行った。当日はそれらのサンプルの評価結果と考察、今後の展望等について発表する。