[11a-E301-1~11] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

10:00 〜 10:15

[11a-E301-5] ミストCVD法で作製した銀薄膜の熱処理条件と局在表面プラズモン共鳴波長との関係

〇水本 圭²、大橋 亮介²、渡邉 千晶¹、吉田 龍馬¹、Su Htet¹、Hassan Sohaib¹、川原村 敏幸^1,2,3 (1.高知工大 シス工、2.院工学研究科、3.総研)

キーワード：

銀、ミストCVD法、局在表面プラズモン

ミスト化学気相成長(ミストCVD)法は主に金属酸化物薄膜の作製手法として発展してきた。一方、当研究室ではCu、Pdなどの金属薄膜にも応用してきた。Ag薄膜の作製にも成功し、特定条件下で局在表面プラズモン共鳴(Localized Surface Plasmon Resonance：LSPR)の発現を確認したが、共鳴波長の制御条件は十分に明らかになっていない。そこで本研究では、ミストCVD法で作製したAg薄膜に熱処理を施し、熱処理条件がLSPR特性に与える影響を調査した。