講演情報
[11a-E301-6]Low-k絶縁膜を用いたRF整流用MSIMダイオードの試作と特性解析
〇矢崎 結也1、相川 慎也1、石上 柊佑1、松藤 由磨1 (1.工学院大工)
キーワード：
RF整流ダイオード、低誘電率、ショットキー
RFエネルギーハーべスティングのためのレクテナを応用先として，従来のMIM構造を持つ高周波整流用ダイオードに半導体層を挿入したMSIMダイオードを試作し，整流特性を評価した．デバイスの特性解析により，RF-DC変換に必要なゼロバイアス点での非線形性を有することを示した．また，特性改善として電極材料や半導体層のキャリア濃度制御が有意であったため，新たな構造を持つ素子として報告する．