[11a-E301-1~11] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:00 〜 11:15

[11a-E301-8] パルスレーザー堆積法による非平衡相In₄Sn₃O₁₂のエピタキシャル薄膜成長と半導体特性

〇坂主 東磨¹、鈴木 朝也¹、井手 啓介¹、片瀬 貴義^1,2、平松 秀典^1,2、細野 秀雄¹、神谷 利夫¹ (1.科学大元素、2.科学大フロ研)

キーワード：

半導体

不揮発性メモリの３次元集積化に向けて、リーク電流が低い酸化物半導体TFTが期待されている。本研究では、高移動度が期待できるIn₄Sn₃O₁₂について、エピタキシャル薄膜の作製と第一原理計算により、高移動度半導体としての可能性を調べた。In₄Sn₃O₁₂は1325℃での安定相であるが、300℃の低温成長で安定化させることに成功し、エピタキシャル薄膜を得た。Hall移動度は50 cm²/Vsであった。