[11a-E301-1~11] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:15 〜 11:30英語発表

[11a-E301-9] A thermodynamic approach for oxygen vacancy elimination in oxide semiconductors

〇SiMeng Chen¹, Hirofumi Nishida¹, Takuya Hoshii¹, Kazuo Tsutsui², Hitoshi Wakabayashi², Kuniyuki Kakushima¹ (1.Inst. Science Tokyo School of Eng., 2.Inst. Science Tokyo IIR)

キーワード：

oxide semiconductor、oxygen vacancy