講演情報
[11a-N101-3]トンネル接合導入によるGaN:EuナノワイヤLEDの低電圧化
〇館林 潤1,2、羽田 頼生1、市川 修平1、藤原 康文3,4 (1.阪大院工、2.阪大QIQB、3.阪大産研、4.立命館大)
キーワード：
ナノワイヤ、希土類添加半導体、ユウロピウム
Eu添加GaN（GaN:Eu）ナノワイヤLEDは、次世代マイクロディスプレイや網膜投影デバイスへの応用が期待されているが、高抵抗なp-GaN層およびGaN層に起因する高い動作電圧が課題である。本研究では、低抵抗化およびキャリア注入効率向上を目的として、p-GaN層上にトンネル接合（TJ）層を導入したGaN:EuナノワイヤLEDを作製した。その結果、従来構造と比較して立ち上がり電圧の低減を確認するとともに、室温においてEu³⁺イオンに起因する622 nm付近の赤色EL発光を観測した。これらの結果より、TJ導入がGaNナノワイヤLEDの低電圧動作およびデバイス特性向上に有効であることを示した。