講演情報
[11a-N102-3]PL 測定による低温成長AlGaN 系UV-B 半導体レーザー活性層の発光特性評価
〇小林 倫太朗1、齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、渡辺 崚太1、宮本 侑茉1、神谷 始音1、谷川 智也1、北川 賢汰1、岩山 章1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大・理工、2.三重大・院・工)
キーワード：
AlGaN系UV-B半導体レーザー、フォトルミネッセンス（PL）、低温成長
AlGaN系UV-B半導体レーザー活性層における低温成長の影響を明らかにするため、活性層および周辺層の成長温度を750～1000℃で変化させたレーザー構造に対し、励起強度依存PL測定を行った。その結果、775℃成長試料が弱励起から強励起まで高い発光強度を示し、低温成長によるヘテロ界面の急峻化が発光特性向上に寄与している可能性が示唆された。