講演情報
[11a-N102-4]ハイドライド気相成長法による高純度GaN膜における極低温PLスペクトルと反射スペクトル測定
〇山形 梨里花1、山口 敦史1、金木 奨太2、藤倉 序章2 (1.金沢工大、2.住友化学)
キーワード：
GaN、励起子、励起子束縛エネルギー
本研究では、新型ハイドライド気相成長（HVPE）装置を用いて作製したGaN膜に対し、極低温フォトルミネッセンス測定および反射測定を行い、従来試料と比較した。その結果、新試料では発光ピークの半値幅が減少し、結晶品質の向上が確認された。さらに、反射測定ではC励起子の2s状態（C2）を明瞭に観測することに成功した。C励起子の束縛エネルギーは、A励起子およびB励起子とほぼ同程度であることが明らかとなった。