2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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10:30 〜 10:45

[11a-N102-6]p-GaN上GaNトンネル接合中に形成されたバンドギャップ内準位の評価

〇(M2)廣瀬 礼也1、近藤 泉樹1、長田 和樹1、辻 雄大1、今井 大地1、竹内 哲也1 (1.名城大院理工)

キーワード：

窒化物半導体、トンネル接合

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