[11a-N102-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

10:45 〜 11:00

[11a-N102-7] 高濃度MgドープGaNの深い準位に対する活性化アニールの影響

〇(M1)辻 雄大¹、近藤 泉樹¹、廣瀬 礼也¹、長田 和樹¹、今井 大地¹、竹内 哲也¹ (1.名城大院理工)

キーワード：

窒化物半導体、深い準位