[11a-N102-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

11:00 〜 11:15

[11a-N102-8] AlInN/GaN多重積層構造を利用した膜厚40nmのAlInN混晶における
バンドギャップ内光吸収過程の評価

〇(M2)福島 美希也¹、西畑 陽貴¹、野田 幸樹¹、今井 大地¹、竹内 哲也¹ (1.名城大院理工)

キーワード：

窒化物半導体、光熱偏向分光法