講演情報
[11a-PA2-1]ヘリコンスパッタリング分子線源を利用したSiエピタキシャル成長による自律的ナノマイクロ表面創成
〇角田 陽1、渡邊 慧介1 (1.東京高専)
キーワード：
エピタキシャル成長、ナノマイクロテクスチャ
代表寸法 nm 又は µm スケールの単位規則形状が配列されている表面(ナノ・マイクロテクスチャ面)を作製するために，本研究では，ヘリコンスパッタリング分子線源を用いた分子線エピタキシャル成長 (MBE) による方法の確立をめざしている．本研究では，分子の動きに影響を与える様々な表面構造を事前に設定するために，予め µm スケールの形状の規則的配列構造（プレパターン）を付与した単結晶（111）Si基板に体する創成過程を調べた．