セッション詳細
[11a-PA2-1~4]13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術
2026年9月11日(金) 9:00 〜 10:30
PA2 (第1体育館)
[11a-PA2-1]ヘリコンスパッタリング分子線源を利用したSiエピタキシャル成長による自律的ナノマイクロ表面創成
〇角田 陽1、渡邊 慧介1 (1.東京高専)
[11a-PA2-2]超純水中接触による石英ガラスの簡便な大気非暴露直接接合の検討
〇山根 秀勝1 (1.大阪技術研)
[11a-PA2-3]片面ウェットエッチング治具を用いた宇宙紫外線分光用Siスリットの作製
〇(B)長瀬 一騎1、葦刈 佑季1、坂本 達哉1、趙 彪2、岡 智絵美1、古賀 亮一3、平原 靖大2、秦 誠一1 (1.名大工、2.名大理、3.名市大データサイエンス)
[11a-PA2-4]レーザ照射Siの改質層におけるボイド形成過程の分子動力学解析
〇(M2)奥園 洸樹1、石丸 学1 (1.九州工大)