講演情報
[11a-PA6-11]裏面DBR層を備えたGaInN系光電変換デバイスの性能向上
〇野中 智章1、永井 真夏1、長谷川 準1、山口 慶太郎1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大)
キーワード：
光無線給電、窒化物半導体、DBR
半導体レーザと受光素子を組み合わせた光無線給電システムは、有望な無線電力伝送技術として注目されている[1,2]。これまで我々は、GaInN/GaN多重量子井戸（MQW）構造を用いた光電変換素子について検討し、43%以上のPCEを報告してきた[3,4]。本研究では、光電変換効率、とりわけ外部量子効率（EQE）改善に向けた方策として、損失分となっていた透過光回収のための分布ブラッグ反射鏡（DBR）の導入を検討したので報告する。