講演情報
[11a-PA6-3]MOVPE法による低抵抗な歪系ノンドープAlN/GaN on AlNの実現
〇吉川 陽1、張 梓懿1、久志本 真希2、本田 善央2、天野 浩2 (1.ULTEC株式会社、2.名古屋大学)
キーワード：
窒化アルミニウム、二次元電子ガス
次世代高周波デバイス向けの歪系AlN/GaN on AlNに対し、MOVPE法によるIII族パルス供給成長を適用した。その結果、原子レベルの平坦性およびAlN基板との格子整合を維持したまま、2DEG特性を大幅に向上させることに成功した。得られた特性は従来のMOVPE法およびMBE法を上回るものであり、MOVPEによる高性能AlN/GaNヘテロ構造の有効性を示した。