[11a-PA6-1~23] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-PA6-5] スパッタリングGaNターゲットを用いた薄膜の構造・極性制御と評価

〇常盤 美怜¹、三崎 日出彦¹、上岡 義弘¹、松村 賢²、召田 雅実¹ (1.東ソー(株)、2.(株)東ソー分析センター)

キーワード：

GaN、スパッタリング、結晶構造