講演情報
[11a-PB1-11]m面GaN基板上にMOCVD法を用いて作製した非極性
GaN/AlN 共鳴トンネルダイオード
〇今泉 輝1、神谷 秋斗1、間瀬 晃1、山口 慶太郎1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大)
キーワード：
共鳴トンネルダイオード、GaN
Beyond 5G/6G通信の実現に向け、超高速・大容量テラヘルツ波発振デバイスとして、共鳴トンネルダイオード（Resonant Tunneling Diode: RTD）が注目されている[1]。特に窒化物（GaN系）RTDはmWレベルの高出力化が期待されているが[2]、窒化物系材料特有の巨大分極が素子特性を劣化させることが課題である[3]。本研究では、非極性面であるm面GaN基板上にRTD構造を作製することで分極の影響を排除し、電流密度およびピーク対バレイ電流比（PVCR）の大幅な向上を試みた。