講演情報
[11a-PB1-12]MOCVD法による単結晶AlN基板上AlGaNマルチチャネルHFETの作製と特性評価
〇(M2)佐藤 将太郎1、神谷 秋斗1、山口 慶太郎1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大)
キーワード：
パワー半導体、マルチチャネル、二次元電子ガス
ウルトラワイドバンドギャップ（UWBG）半導体であるAlNやAlGaNは、非常に高い絶縁破壊特性を示す事から次世代パワーデバイスの候補材料として有望である。これまで我々は、サファイア基板上AlGaNチャネルHFETのほか、単結晶AlN基板上へのAlNモル比70%を超えるAlGaNチャネルHFETの試作を初めて実施、トランジスタのON/OFF動作と高いOFF耐圧特性を実証している。本研究では、高AlN比AlGaNチャネルHFETの課題であるON特性の改善に向けて、GaNチャネルHFETで報告されているマルチチャネル構造の適用を試みたので報告する。