講演情報
[11a-PB1-13]AlGaN中間層を導入したGaN/AlN共鳴トンネルダイオードの不揮発メモリ特性の評価
〇永瀬 成範1、高橋 言緒1、清水 三聡1 (1.産総研)
キーワード：
窒化物半導体、量子井戸、不揮発性メモリ
我々は、GaN/AlN共鳴トンネルダイオードでのサブバンド間遷移現象を用いることで、高速な不揮発性メモリの実現を目指している。しかし、AlNバリア層の欠陥準位を介した電子リークに伴うメモリの不安定動作が、その実用化を阻んでいる。この回避法の一つとして、バンドギャップや欠陥準位が異なるAlGaN中間層とAlNバリア層を組み合わせることで、電子リークを抑制する方法を検討した。