[11a-PB1-1~31] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[11a-PB1-14] リセス構造による N 極性面 GaN のコンタクト抵抗低減

〇谷口 淳¹、山田 敦史¹、美濃浦 優一¹、杉野 智大¹、田中 敦之²、新井 学²、須田 淳²、本田 善央²、多木 俊裕¹、中村 哲一¹、天野 浩² (1.富士通、2.名大IMaSS)

キーワード：

N極性GaN、コンタクト抵抗