[11a-PB1-1~31] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[11a-PB1-23] 第一原理計算に基づくGaプニクタイド・Gaカルコゲナイドのパワーデバイス性能解析

〇(M1C)武井 裕希¹、野田 祐輔^1,2 (1.九工大院情報工、2.九工大DS・AI研)

キーワード：

半導体、第一原理計算、パワーデバイス

本講演では、Ga−X（X = N, O, P, S, As, Se）二元系化合物37種を対象に、第一原理計算に基づいてパワーデバイス性能指数（BFOM）および格子熱伝導率を評価した結果を報告する。各結晶相の電子物性・熱伝導特性を比較し、パワーデバイス材料としての有望性を評価した。その結果、Ga−N系およびGa−O系の一部結晶相が高いBFOMと良好な熱伝導特性を両立する有望候補であることを明らかにした。