講演情報
[11a-PB1-24]SiC MOSFETにおけるCharge Pumping法のGeometric Component発生機構と抑制条件
〇大井 柊人1、畠山 哲夫1、染谷 満2、平井 悠久2、岡本 光央2 (1.富山県立大、2.産総研)
キーワード：
SiC MOSFET、Charge Pumping、界面準位密度
4H-SiC MOSFETにおけるCharge Pumping法では，Geometric Component（GC）により界面準位密度が過大評価される場合がある。本研究では実測およびTCAD解析を用いてGCの発生機構を検討した。その結果，GCはチャネル内に残留した電子と基板から供給された正孔とのバルク再結合に起因することを明らかにした。また，電子拡散長に基づくモデルを提案し，GC発生条件をチャネル長とパルス立下り時間から整理した。