講演情報
[11a-PB1-27]NO窒化処理を施した4H-SiC MOS界面の伝導帯側界面準位の電流検出ESR観察
〇安達 慧悟1、島袋 聞多1、染谷 満2、平井 悠久2、渡部 平治3、梅田 享英1 (1.筑波大、2.産総研、3.大阪大)
キーワード：
半導体、ワイドバンドギャップ、MOS界面
4H-SiC MOSFETの伝導帯側界面準位に対するNO窒化処理の効果をEDMR分光により調査した。前回私たちはEV+2.2eVにある界面準位の起源が界面アドアトム炭素ダングリングボンド欠陥やSiダングリングボンド欠陥であると同定した。これらの界面準位は窒化処理により信号強度が劇的に減少した。また、新たな界面欠陥は観測されず窒化処理がEV+2.2eVの界面準位を除去できることが分かった。