講演情報
[11a-PB1-28]SiC MOSFETのゲート酸化膜劣化試験におけるVth測定時のコンディショニング時間の影響
〇草野 公汰1、高山 創1、小林 和淑1、新谷 道広1 (1.京工繊大)
キーワード：
SiC MOSFET、ゲートスイッチング不安定性、信頼性
本講演では，SiC MOSFETのゲート酸化膜劣化評価におけるコンディショニング時間の影響について報告する．GSI劣化を対象に，コンディショニング電圧の印加時間およびストレス条件を変化させ，ストレス除去後のしきい値電圧の時間変化を評価した．その結果，ストレス除去後のしきい値電圧変動はBTIで報告されているような回復挙動を示さず，コンディショニング条件によって測定結果が変化することを確認した．