[11a-PB1-1~31] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[11a-PB1-29] 近接場光エッチングによるSiCウェハ平坦化と表層状態変化の評価

〇吉松 澪央¹、吉田 恭平²、永岡 昭二^2,3、高藤 誠¹ (1.熊本大院先端、2.熊本県産技セ、3.熊本大熊創)

キーワード：

SiC、コヒーレントフォノン、近接場光